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如今，電力已經進入千家萬戶，給我們的生活帶來了很大的便利，電力行業也成為了熱門行業。現代電力電子技術越來越多地應用于電力半導體器件。今天，讓我們學習一些關于電力半...
如今，電(dian)力(li)已經進(jin)入千家萬戶，給我們的(de)(de)生(sheng)活帶來了(le)(le)很大(da)的(de)(de)便利，電(dian)力(li)行業(ye)(ye)也成為了(le)(le)熱(re)門行業(ye)(ye)。現代(dai)電(dian)力(li)電(dian)子技術越(yue)來越(yue)多地應用于(yu)電(dian)力(li)半(ban)導(dao)體器件。今天，讓我們學習一些(xie)關于(yu)電(dian)力(li)半(ban)導(dao)體元件的(de)(de)知識。
電力半導體元(yuan)件(jian)大多是(shi)以開關方式工作(zuo)、控制和(he)轉換電能的電力電子器件(jian)。如(ru)GTO、GTR、power MOSFET、IGBT、sit、Sith、MCT等。
功(gong)率半導體元件可分(fen)為三類:雙極型(xing)、單極型(xing)和混(hun)合(he)型(xing)。
雙極(ji)器件是半導體器件，其中(zhong)電(dian)(dian)(dian)(dian)子(zi)和(he)空穴載(zai)流(liu)子(zi)都參與傳(chuan)導過程。這種裝置(zhi)的導通電(dian)(dian)(dian)(dian)阻小(xiao)于0.09Ω,電(dian)(dian)(dian)(dian)壓降低(di),阻斷電(dian)(dian)(dian)(dian)壓高,電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)容量(liang)很(hen)大。常用(yong)的有(you)GTO(關斷晶(jing)閘管(guan)(guan))、GTR(功率晶(jing)體管(guan)(guan))、Sith(靜電(dian)(dian)(dian)(dian)感應晶(jing)閘管(guan)(guan))等(deng)。GTO具(ju)有(you)高耐壓(4500V)和(he)大電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)(5000A)。GTR具(ju)有(you)控制(zhi)(zhi)方便、開關時間(jian)短(duan)、傳(chuan)導電(dian)(dian)(dian)(dian)壓低(di)、高頻特性好等(deng)優點(dian)(dian)。Sith的通、關由梭形桿(gan)控制(zhi)(zhi)，具(ju)有(you)通電(dian)(dian)(dian)(dian)阻小(xiao)、通電(dian)(dian)(dian)(dian)壓低(di)、開關速(su)度快、功耗低(di)、關斷電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)增益大的特點(dian)(dian)。
單(dan)極器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)是只有(you)(you)主要載流子參(can)與(yu)導電過程的(de)半導體(ti)器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)。常見產(chan)品有(you)(you)power MOSFET和sit。前者為電壓控(kong)制裝置，具(ju)有(you)(you)驅動功率低(di)、工(gong)作速度快、無二次擊穿、安全工(gong)作區寬等(deng)優(you)點(dian)。后者是三層(ceng)結構的(de)載波器(qi)(qi)(qi)件(jian)(jian)。它具(ju)有(you)(you)輸出(chu)功率高(gao)(gao)、失真小、輸入阻抗(kang)高(gao)(gao)、開(kai)關特性好等(deng)優(you)點(dian)。它可以在放(fang)大和轉換兩種狀態下工(gong)作。
混合(he)裝置是雙極(ji)(ji)和單極(ji)(ji)裝置的混合(he)。它們采用高耐壓、大(da)電(dian)流、低導通(tong)電(dian)壓的雙極(ji)(ji)器件(GTO、gir等(deng))作(zuo)為輸(shu)(shu)出元(yuan)件，采用高輸(shu)(shu)入阻抗、高對應速度的單極(ji)(ji)器件(MOSFET)作(zuo)為輸(shu)(shu)入級。典(dian)型產品有IGBT(絕(jue)緣棚雙極(ji)(ji)晶體管(guan))、MCT (MOS晶閘管(guan))等(deng)。
