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1.行業配置文件 離散功率器件按功率分為大功率半導體器件和中小型功率半導體器件。其中大功率晶閘管是指電流大于200A的晶閘管產品;大功率模塊是指電流大于25A的模塊產品;大功率...
1.行業配置文件
離散(san)功(gong)(gong)率器件按功(gong)(gong)率分為大(da)(da)功(gong)(gong)率半導體器件和(he)中(zhong)小型功(gong)(gong)率半導體器件。其中(zhong)大(da)(da)功(gong)(gong)率晶閘管是指(zhi)(zhi)電流大(da)(da)于200A的晶閘管產(chan)品(pin)(pin)(pin);大(da)(da)功(gong)(gong)率模(mo)塊(kuai)是指(zhi)(zhi)電流大(da)(da)于25A的模(mo)塊(kuai)產(chan)品(pin)(pin)(pin);大(da)(da)功(gong)(gong)率IGBT和(he)MOSFET是指(zhi)(zhi)電流大(da)(da)于50A的IGBT和(he)MOSFET產(chan)品(pin)(pin)(pin)。
在(zai)我(wo)國(guo)(guo)，晶閘(zha)(zha)管(guan)的(de)研究始(shi)于60年(nian)代(dai)，大(da)功(gong)率(lv)晶閘(zha)(zha)管(guan)的(de)發(fa)(fa)展(zhan)始(shi)于70年(nian)代(dai)。自20世紀(ji)80年(nian)代(dai)以來(lai)，大(da)功(gong)率(lv)晶閘(zha)(zha)管(guan)在(zai)我(wo)國(guo)(guo)得到(dao)了很(hen)大(da)的(de)發(fa)(fa)展(zhan)，同時(shi)也開(kai)發(fa)(fa)了相(xiang)應(ying)的(de)模塊。本世紀(ji)以來(lai)，引進了少量特(te)大(da)功(gong)率(lv)晶閘(zha)(zha)管(guan)(包(bao)括光控晶閘(zha)(zha)管(guan))技術(shu);近(jin)年(nian)來(lai)，國(guo)(guo)家(jia)逐步引進IGBT和(he)MOSFET技術(shu)。隨著我(wo)國(guo)(guo)經(jing)濟的(de)不斷發(fa)(fa)展(zhan)和(he)對電(dian)力、交通、基礎設施的(de)大(da)規模投資，電(dian)力電(dian)子(zi)(zi)設備市(shi)場迅(xun)速(su)發(fa)(fa)展(zhan)，在(zai)全球市(shi)場的(de)份額不斷增加。中國(guo)(guo)已(yi)成為世界上大(da)功(gong)率(lv)電(dian)子(zi)(zi)設備的(de)需求市(shi)場。晶閘(zha)(zha)管(guan)、模塊和(he)IGBT的(de)發(fa)(fa)明和(he)開(kai)發(fa)(fa)，符合電(dian)力電(dian)子(zi)(zi)技術(shu)發(fa)(fa)展(zhan)的(de)不同需要。它們是電(dian)力半導體發(fa)(fa)展(zhan)不同時(shi)期的(de)重要標志產(chan)品。它們的(de)應(ying)用領域和(he)應(ying)用場合大(da)多不同，也有一小部分交叉。
在技術不斷(duan)發展(zhan)和技術逐步完善的(de)驅動下(xia)，大功率(lv)(lv)半導體器件將向高(gao)壓、大電流、高(gao)頻(pin)、模塊(kuai)(kuai)化、智能化方向發展(zhan)。在10kHz以下(xia)的(de)高(gao)功率(lv)(lv)、高(gao)電壓應用中，大功率(lv)(lv)晶閘管及模塊(kuai)(kuai)具有(you)抗(kang)沖擊能力(li)強、可(ke)靠性高(gao)的(de)特點，且成本(ben)低、應用簡(jian)單，易于推廣。
2.產業價值(zhi)鏈的構成(cheng)
大功率半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)行業的(de)(de)(de)上(shang)游產業包括:單(dan)晶硅(gui)、鉬片(pian)、管(guan)殼(ke)、化學試(shi)劑、機械零部(bu)件(jian)加工等(deng)。作為(wei)大功率半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)制造行業的(de)(de)(de)上(shang)游行業，單(dan)晶硅(gui)、鉬片(pian)和外(wai)殼(ke)的(de)(de)(de)價(jia)格(ge)直接影響行業的(de)(de)(de)整體(ti)成(cheng)本。
單(dan)晶硅(gui)、鉬(mu)片和銅是工業(ye)(ye)的(de)基本(ben)原料(liao)，廣泛應用于(yu)國民經(jing)濟的(de)許多(duo)行業(ye)(ye)。市(shi)場供應相(xiang)對(dui)充(chong)足，有(you)很多(duo)企業(ye)(ye)提供。雖然有(you)價格波動，但從(cong)長遠來(lai)看，發展是穩定(ding)的(de)，不會對(dui)行業(ye)(ye)發展產(chan)生不利影響(xiang)。
大(da)功(gong)率(lv)半導(dao)體應用(yong)集中的(de)(de)下(xia)(xia)游(you)行業包括:輸變電(dian)(dian)(dian)、鋼(gang)鐵(tie)冶煉、電(dian)(dian)(dian)機(ji)驅動、軌道(dao)交通、大(da)功(gong)率(lv)供電(dian)(dian)(dian)、焊接(jie)等領域。大(da)功(gong)率(lv)半導(dao)體在電(dian)(dian)(dian)機(ji)驅動和大(da)功(gong)率(lv)電(dian)(dian)(dian)源(yuan)領域的(de)(de)應用(yong)是下(xia)(xia)游(you)需求中快速發展的(de)(de)兩種類型。大(da)功(gong)率(lv)半導(dao)體器件(jian)作為基(ji)礎電(dian)(dian)(dian)子元器件(jian)，服務范圍廣，對個別(bie)下(xia)(xia)游(you)產業的(de)(de)變化不敏感，與宏觀經濟繁榮程度相關(guan)性較高(gao)。
從產業價值來看，大(da)功率(lv)半導體器件(jian)作為電力電子領域的核(he)心元器件(jian)，技(ji)術含量(liang)較(jiao)高。上游是基礎材料和(he)下游應用領域，是產業鏈中具有高附加值的一(yi)部分。
3.產業發展中的(de)問題
(1)我國大(da)功率半(ban)導體產(chan)業(ye)(ye)(ye)投資(zi)不足(zu)，與國際(ji)先(xian)進技(ji)術水平(ping)存(cun)在差距。大(da)功率半(ban)導體器(qi)件在許多關鍵領域中發揮著(zhu)不可(ke)替代的(de)作用。然而，該行業(ye)(ye)(ye)在研(yan)發方面(mian)的(de)投入不足(zu);技(ji)術創新和(he)人才引進。大(da)部分企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)仍在生(sheng)產(chan)中低端設備(bei)(bei)。目前，只有少數(shu)優勢企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)進行了(le)自主創新，掌握了(le)一些設備(bei)(bei)的(de)制(zhi)造技(ji)術。同時,業(ye)(ye)(ye)內企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)有很大(da)差距的(de)過(guo)程環(huan)境,生(sheng)產(chan)設備(bei)(bei),檢測設備(bei)(bei),檢測設備(bei)(bei)和(he)其他方面(mian)與歐洲相比,美國和(he)日本公(gong)司(si),導致產(chan)品的(de)一致性(xing)和(he)持久性(xing)差距和(he)國際(ji)先(xian)進標準(zhun),這(zhe)使得它(ta)很難進入市場。
(2)國(guo)內部分(fen)企業(ye)節能(neng)意識薄弱，不重視電網污染問(wen)題
國內部(bu)分企業節能意(yi)識薄弱，不重視電(dian)網污(wu)染問題，對電(dian)力電(dian)子(zi)設備投資不足，導致電(dian)力電(dian)子(zi)產品(pin)的(de)應(ying)用水(shui)平和(he)程度有限。例如:在很(hen)多情況(kuang)下，電(dian)網的(de)功率因數和(he)諧波指數都不符(fu)合國家標準(zhun)。為(wei)達到上(shang)述標準(zhun)，應(ying)從各方(fang)面努力，逐(zhu)步提高對電(dian)力電(dian)子(zi)應(ying)用必要(yao)性(xing)和(he)迫切(qie)性(xing)的(de)認識。
(3)行業內部(bu)分企業質量(liang)意(yi)識(shi)不強
電(dian)力電(dian)子技(ji)術(shu)在我國的(de)應用還(huan)沒有普及(ji)，部(bu)分裝(zhuang)備制造企(qi)(qi)業(ye)(ye)和終端用戶(hu)對產品質量(liang)不重視(shi)。行(xing)業(ye)(ye)內的(de)國內企(qi)(qi)業(ye)(ye)多為(wei)小規模企(qi)(qi)業(ye)(ye)，資金、技(ji)術(shu)、設(she)備、人員等因(yin)素嚴(yan)重制約(yue)著企(qi)(qi)業(ye)(ye)的(de)發展(zhan)。進行(xing)低水平重復建設(she)。小型企(qi)(qi)業(ye)(ye)過于(yu)關注(zhu)價格，而忽視(shi)了(le)主要的(de)電(dian)力半(ban)導體器件的(de)質量(liang)控制。因(yin)此，很難提高(gao)產品的(de)價格和質量(liang)。大量(liang)企(qi)(qi)業(ye)(ye)在低端市場過度競(jing)爭(zheng)，影響了(le)市場秩序。
