信息摘要：
概念: 電力電子器件，又稱電力半導體器件，主要應用于電力設備的功率轉換和控制電路中(通常指電流在幾萬到幾萬a，電壓在幾百伏特以上)。 設備開發: 電源器件幾乎應用于所有電子...
概念:
電(dian)力(li)電(dian)子器件，又稱(cheng)電(dian)力(li)半導體器件，主要應用于電(dian)力(li)設(she)備的功率轉換和控(kong)制(zhi)電(dian)路(lu)中(通常指電(dian)流在幾(ji)萬(wan)到(dao)幾(ji)萬(wan)a，電(dian)壓在幾(ji)百伏(fu)特以(yi)上)。
設備開發:
電(dian)源(yuan)器(qi)件幾乎應(ying)用(yong)于所有電(dian)子制造行業，包括筆記本、PC、服務器(qi)、顯(xian)示器(qi)和計算(suan)機領域(yu)的各種外設(she);網絡通(tong)信領域(yu)的手機、電(dian)話機等(deng)終端及辦公設(she)備;傳(chuan)統的黑(hei)白家用(yong)電(dian)器(qi)和消費(fei)電(dian)子領域(yu)的各種數碼產品;工(gong)業PC、工(gong)業控制類的各種儀(yi)器(qi)和控制設(she)備。
電(dian)源裝置(zhi)在保證(zheng)這些(xie)裝置(zhi)正(zheng)常運行的(de)同時，也(ye)能(neng)(neng)起到有效的(de)節能(neng)(neng)作用。由于電(dian)子產品需(xu)求的(de)不斷增加和能(neng)(neng)源效率的(de)要求，中國的(de)電(dian)力設備市(shi)場(chang)保持(chi)了(le)快速的(de)發展速度(du)。
分類:
根據控(kong)制電路信號對電力電子設備(bei)的控(kong)制程度:
1. 半(ban)控制器件，如晶(jing)閘管;
2. 全(quan)控制器件，如GTO、GTR、power MOSFET、IGBT;
3.不可控裝置，如功率二極管。
根據驅動電路(lu)在控(kong)制端與(yu)電力電子(zi)設備公用(yong)端之(zhi)間所加信號的性質，將信號分為(wei)以下幾(ji)種:
1. 電壓驅動器件，如IGBT、功率MOSFET、Sith(靜電感應晶閘(zha)管);
2. 電流(liu)驅動(dong)裝置，如晶閘(zha)管(guan)，GTO, GTR。
根據電力電子設備控制端(duan)與共用端(duan)之(zhi)間的(de)有效(xiao)信號波形(xing)，驅動電路可分(fen)為以下幾種
1. 脈沖觸發，如晶閘管和GTO;
2. 電子(zi)控制類型，如GTR, powermosfet, IGBT。
根據電(dian)力電(dian)子器(qi)件中電(dian)子和空穴(xue)參(can)與導電(dian)的情況(kuang)進行分(fen)類
1. 雙極器件，如功率二(er)極管、晶閘管、GTO和GTR;
2. 單極器件(jian)，如功率mosfet、sit、肖特基勢壘二(er)極管;
3.復合(he)器件，如MCT (MOS控制晶閘管(guan))、IGBT、Sith和IGCT。
設備的優點和缺點:
功率(lv)二極管:結(jie)構原(yuan)理簡單，工作(zuo)可(ke)靠;
晶閘(zha)管:所有(you)器件的(de)耐壓和電(dian)流容量高(gao)
IGBT:開(kai)關速(su)度快，開(kai)關損耗小，能(neng)承受(shou)脈(mo)沖(chong)(chong)電(dian)流沖(chong)(chong)擊，通態壓降低(di)，輸入阻抗高，電(dian)壓驅動(dong)(dong)，低(di)驅動(dong)(dong)功率;缺點:開(kai)關速(su)度低(di)于功率MOSFET，電(dian)壓電(dian)流容量小于GTO
GTR:耐壓高、電(dian)流大、開關(guan)特(te)性好(hao)、載流能力(li)強、飽和電(dian)壓低(di);缺點:開關(guan)速度低(di)、電(dian)流驅動、驅動功率大、驅動電(dian)路復雜(za)、二(er)次擊(ji)穿
GTO:電(dian)壓(ya)電(dian)流(liu)容量大(da)，適用于(yu)大(da)功率場合，具有電(dian)導(dao)調制效(xiao)果(guo)，電(dian)流(liu)容量大(da);缺點:電(dian)流(liu)關(guan)斷增益很小(xiao)，門極負脈沖(chong)電(dian)流(liu)大(da)，開關(guan)速度低(di)，驅動功率大(da)，驅動電(dian)路(lu)復雜，開關(guan)頻率低(di)
功(gong)(gong)率(lv)(lv)MOSFET:開關速度快，輸(shu)入阻抗高(gao)，熱穩定性好，驅動功(gong)(gong)率(lv)(lv)小(xiao)，驅動電(dian)路簡單，工作頻(pin)率(lv)(lv)高(gao)，無(wu)二次(ci)擊穿問題;缺點:電(dian)流(liu)容量小(xiao)，耐壓(ya)能力(li)低，一般適用于功(gong)(gong)率(lv)(lv)小(xiao)于10kW的電(dian)力(li)電(dian)子設備(bei)。
限制條件:耐壓(ya)、電(dian)流容量、開關(guan)速度
